李霄远
亚洲市场战略发展经理，Solar Media Limited 旗下 PV-Tech China
李霄远于2010年1月加入Solar Media Ltd，先后就任亚洲市场内容开发经理、亚洲市场战略发展经理等职。在此期间，她先后策划推出了PV-Tech每日光伏新闻 (www.baankhaosok.com) 网站，及姊妹中文杂志《PV-Tech PRO》等中文产品。此前，她曾任职于伦敦花旗投行，随后加入了卡文迪什集团，从事可再生能源B2B传媒产品的开发，并协助博鳌亚洲论坛在英国举办过国际金融峰会。她对国际化媒体产品开发及大型活动策划拥有丰富的经验。李霄远女士拥有英国伦敦帝国理工学院 (Imperial College London)的计算机荣誉学士学位。目前，李霄远正致力于将PV-Tech系列中文产品打造成为中国太阳能市场中最为权威的国际化中文媒体平台。
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将氢化的非晶硅(a-Si:H)薄膜覆盖上一层氮化硅(SiNx:H)薄膜，并在薄膜沉积后加以热退火处理，可有效地强化硅片表面的钝化作用。在这个实验里，我们将讨论不同的a-Si:H薄膜制程沉积温度对a-Si:H/SiNx:H薄膜层的热稳定性的影响，及可能的相关机制。我们利用载子生命周期测量及低掠射角的XRD来研究a-Si:H/SiNx:H薄膜层的热稳定性，并试着以SiH2键结的密度及观察到的硅磊晶相来解释。利用适度的热处理制程，在沉积温度为130℃的a-Si:H薄膜上覆盖SiNx:H薄膜之后，其钝化效果表现的比a-Si:H(200℃)/SiNx:H薄膜层来的好。倘若在过度的热处理下，其载子生命周期的衰减却是比较严重的。含有较多SiH2键结成份的a-Si:H(130℃)/SiNx:H薄膜层，可能被视为能够提供较多的氢原子以进行交换反应，然而另一方面的问题却是，其硅磊晶相的形成也将更为容易...
（翻译编辑：台湾茂迪公司，简体中文编辑：蒋荒野，责任编辑：李霄远）
