多晶硅太阳电池表面“暗纹”及其对太阳电池性能的影响

  • 2011年03月21日
  • 作者: 李霄远
    李霄远

    李霄远

    亚洲市场战略发展经理,Solar Media Limited 旗下 PV-Tech China

    李霄远于2010年1月加入Solar Media Ltd,先后就任亚洲市场内容开发经理、亚洲市场战略发展经理等职。在此期间,她先后策划推出了PV-Tech每日光伏新闻 (www.baankhaosok.com) 网站,及姊妹中文杂志《PV-Tech PRO》等中文产品。此前,她曾任职于伦敦花旗投行,随后加入了卡文迪什集团,从事可再生能源B2B传媒产品的开发,并协助博鳌亚洲论坛在英国举办过国际金融峰会。她对国际化媒体产品开发及大型活动策划拥有丰富的经验。李霄远女士拥有英国伦敦帝国理工学院 (Imperial College London)的计算机荣誉学士学位。目前,李霄远正致力于将PV-Tech系列中文产品打造成为中国太阳能市场中最为权威的国际化中文媒体平台。

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研究了多晶硅酸制绒产生的表面“暗纹”,通过LSM观察发现其在形成初期为彼此不相连的相邻腐蚀坑洞,随着腐蚀的加深,腐蚀坑洞不断变大,并逐渐连成一条线,最终形成“暗纹”。通过分析其微观形貌及与单晶硅缺陷比较,“暗纹”为一系列相邻位错的表面“露头”,即小角晶界被酸腐蚀后相连而形成。同时各种测试结果显示“暗纹”区少子寿命降低、EL和QE响应变差,“暗纹”的数量及分布直接影响多晶硅太阳电池的电性能。商业化硅基太阳电池分为晶体硅太阳电池和硅基薄膜太阳电池两种,目前晶体硅太阳电池占较大的市场份额,且未来10年其主导地位仍不会发生根本改变[1]。晶体硅太阳电池又分单晶硅和多晶硅,尽管多晶硅太阳电池效率低于单晶硅太阳电池,但由于其材料制作成本低于单晶硅,比单晶硅电池更具有降低成本的潜力,因此今后相当长时期内多晶太阳电池仍将是太阳电池市场的主流...

(本文由中电电气(南京)光伏有限公司提供,责任编辑:李霄远)

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