研究了多晶硅酸制绒产生的表面“暗纹”,通过LSM观察发现其在形成初期为彼此不相连的相邻腐蚀坑洞,随着腐蚀的加深,腐蚀坑洞不断变大,并逐渐连成一条线,最终形成“暗纹”。通过分析其微观形貌及与单晶硅缺陷比较,“暗纹”为一系列相邻位错的表面“露头”,即小角晶界被酸腐蚀后相连而形成。同时各种测试结果显示“暗纹”区少子寿命降低、EL和QE响应变差,“暗纹”的数量及分布直接影响多晶硅太阳电池的电性能。商业化硅基太阳电池分为晶体硅太阳电池和硅基薄膜太阳电池两种,目前晶体硅太阳电池占较大的市场份额,且未来10年其主导地位仍不会发生根本改变[1]。晶体硅太阳电池又分单晶硅和多晶硅,尽管多晶硅太阳电池效率低于单晶硅太阳电池,但由于其材料制作成本低于单晶硅,比单晶硅电池更具有降低成本的潜力,因此今后相当长时期内多晶太阳电池仍将是太阳电池市场的主流...
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